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N02L163WC2AB2-70I

更新时间： 2024-02-21 19:44:37

品牌	Logo	应用领域
AMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	185K
描述
128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, GREEN, BGA-48

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技术参数
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N02L163WC2AB2-70I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	1.8 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.016 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

N02L163WC2AB2-70I 数据手册

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AMI Semiconductor, Inc.

Pin Configuration

N02L163WC2A

A₀

A₃

A₁

A₄

A₂

ONE

CE2

I/O₈

I/O₀

CE1

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A16

A15

A14

A13

A12

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

CE2

I/O₉I/O₁₀A₅

A₆

A₇

I/O₁I/O₂

I/O₃V_CC

V_SSI/O₁₁

V_CCI/O₁₂

A₁₆I/O₄V_SS

A₁₅I/O₅I/O₆

I/O₁₄I/O₁₃A₁₄

I/O₁₅

A₁₂

A₉

A₁₃

A₁₀

I/O₇

A₈

A₁₁

A10

A11

48 Pin BGA (top)

6 x 8 mm

Pin Descriptions

Pin Name

A₀-A₁₆

CE1, CE2

I/O₀-I/O₁₅

Pin Function

Address Inputs

Write Enable Input

Chip Enable Input

Output Enable Input

Lower Byte Enable Input

Upper Byte Enable Input

Data Inputs/Outputs

V_CC

V_SS

Power

Ground

Not Connected

(DOC# 14-02-013 REV H ECN# 01-1270)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.

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与N02L163WC2AB2-70I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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N02L163WC2AT2	NANOAMP	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12	获取价格
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