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N01L6183AB7IT

更新时间： 2024-01-18 09:51:42

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安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	244K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L6183AB7IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.4	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.34 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

N01L6183A

Power Savings with Page Mode Operation (WE = V )

Page Address (A4 - A15 )

Word Address (A0 - A3)

Open page

...

Word 16

Word 1

Word 2

LB, UB

Note: Page mode operation is a method of addressing the SRAM to save operating current. The internal

organization of the SRAM is optimized to allow this unique operating mode to be used as a valuable power

saving feature.

The only thing that needs to be done is to address the SRAM in a manner that the internal page is left open

and 16-bit words of data are read from the open page. By treating addresses A0-A3 as the least significant

bits and addressing the 16 words within the open page, power is reduced to the page mode value which is

considerably lower than standard operating currents for low power SRAMs.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N01L6183AT	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
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