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N01L6183AB7IT

更新时间： 2024-02-16 04:40:40
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 244K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L6183AB7IT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：BGA包装说明：LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.4最长访问时间：85 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.34 mm
最大待机电流：0.000005 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM宽度：6 mm
Base Number Matches：1

N01L6183AB7IT 数据手册

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N01L6183A  
1
Absolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
VIN,OUT  
VCC  
Rating  
–0.3 to VCC+0.3  
–0.3 to 3.0  
500  
Unit  
V
Voltage on any pin relative to VSS  
Voltage on VCC Supply Relative to VSS  
Power Dissipation  
V
PD  
mW  
oC  
oC  
oC  
TSTG  
Storage Temperature  
–40 to 125  
TA  
Operating Temperature  
-40 to +85  
260oC, 10sec  
TSOLDER  
Soldering Temperature and Time  
1. Stresses greater than those listed above may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operating section of this specification is not  
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
Operating Characteristics (Over Specified Temperature Range)  
Typ1  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Max  
Unit  
VCC  
VDR  
VIH  
VIL  
Supply Voltage  
Data Retention Voltage  
Input High Voltage  
1.65  
1.2  
0.7VCC  
1.8  
2.2  
V
V
Chip Disabled3  
VCC+0.3  
0.3VCC  
V
Input Low Voltage  
–0.3  
V
VOH  
VOL  
ILI  
IOH = 0.2mA  
IOL = -0.2mA  
VCC–0.3  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
V
0.3  
0.5  
0.5  
V
VIN = 0 to VCC  
µA  
µA  
ILO  
OE = VIH or Chip Disabled  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0  
Read/Write Operating Supply Current  
ICC1  
ICC2  
0.7  
8
3.0  
16  
mA  
mA  
@ 1 µs Cycle Time2  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0  
Read/Write Operating Supply Current  
@ 85 ns Cycle Time2  
Page Mode Operating Supply Current  
@ 85ns Cycle Time2 (Refer to Power  
Savings with Page Mode Operation  
diagram)  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0,  
ICC3  
3
mA  
µA  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0,  
f = 0  
Read/Write Quiescent Operating Sup-  
ply Current3  
ICC4  
20  
VIN = VCC or 0V  
Chip Disabled  
Maximum Standby Current3  
ISB1  
0.5  
10  
5
µA  
µA  
tA= 85oC, VCC = 2.2 V  
VCC = 1.2V, VIN = VCC or 0  
Chip Disabled, tA= 85oC  
Maximum Data Retention Current3  
IDR  
1. Typical values are measured at Vcc=Vcc Typ., TA=25°C and are not 100% tested.  
2. This parameter is specified with the outputs disabled to avoid external loading effects. The user must add current required to drive  
output capacitance expected in the actual system.  
3. This device assumes a standby mode if the chip is disabled (CE high). In order to achieve low standby current all inputs must be  
within 0.2 volts of either VCC or VSS  
Rev. 8 | Page 3 of 10 | www.onsemi.com  
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