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N01L163WN1AB2-55I

更新时间： 2024-02-15 14:56:34

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	261K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L163WN1AB2-55I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	6 X 8 MM, GREEN, BGA-48	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.34 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

NanoAmp Solutions, Inc.

Timing of Read Cycle (CE = OE = V , WE = V )

N01L163WN1A

Address

Previous Data Valid

Data Valid

Data Out

Timing Waveform of Read Cycle (WE= V )

Address

OHZ

OLZ

LB, UB

LBLZ, UBLZ

LBHZ, UBHZ

High-Z

Data Valid

Data Out

(DOC# 14-02-011 REV G ECN# 01-1272)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N01L163WN1AB2-70I	NANOAMP	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	获取价格
N01L163WN1AB-55I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WN1AT2-55I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WN1AT2-70I	NANOAMP	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44	获取价格
N01L163WN1AT-55I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L6183A	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格