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N01L163WN1AB2-55I

更新时间： 2024-01-13 01:09:11

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	261K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L163WN1AB2-55I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	6 X 8 MM, GREEN, BGA-48	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.34 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

N01L163WN1AB2-55I 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.

Ball Grid Array Package

N01L163WN1A

0.28±0.05

1.24±0.10

A1 BALL PAD

CORNER (3)

1. 0.35±0.05 DIA.

2. SEATING PLANE - Z

0.15

0.05

TOP VIEW

SIDE VIEW

1. DIMENSION IS MEASURED AT THE

MAXIMUM SOLDER BALL DIAMETER.

PARALLEL TO PRIMARY Z.

A1 BALL PAD

CORNER

2. PRIMARY DATUM Z AND SEATING

PLANE ARE DEFINED BY THE

SPHERICAL CROWNS OF THE

SOLDER BALLS.

3. A1 BALL PAD CORNER I.D. TO BE

MARKED BY INK.

K TYP

J TYP

BOTTOM VIEW

Dimensions (mm)

e = 0.75

BALL

MATRIX

TYPE

6±0.10

8±0.10

0.375

1.125

1.375

FULL

(DOC# 14-02-011 REV G ECN# 01-1272)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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