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N01L163WN1AB2-55I

更新时间： 2024-02-26 03:28:32
品牌 Logo 应用领域
NANOAMP 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 261K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L163WN1AB2-55I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：6 X 8 MM, GREEN, BGA-48Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78最长访问时间：55 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.34 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：6 mm
Base Number Matches：1

N01L163WN1AB2-55I 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.  
Timing Test Conditions  
N01L163WN1A  
Item  
0.1VCC to 0.9 VCC  
Input Pulse Level  
Input Rise and Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
5ns  
0.5 VCC  
CL = 30pF  
-40 to +85 oC  
Operating Temperature  
Timing  
2.3 - 3.6 V  
2.7 - 3.6 V  
Item  
Symbol  
Units  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
tRC  
tAA  
Read Cycle Time  
70  
55  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
70  
70  
35  
35  
55  
55  
30  
30  
tCO  
Chip Enable to Valid Output  
Output Enable to Valid Output  
Byte Select to Valid Output  
Chip Enable to Low-Z output  
Output Enable to Low-Z Output  
Byte Select to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Byte Select Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Write Cycle Time  
tOE  
tLB, tUB  
tLZ  
10  
5
10  
5
tOLZ  
tLBZ, tUBZ  
tHZ  
10  
0
10  
0
20  
20  
20  
20  
20  
20  
tOHZ  
0
0
tLBHZ, tUBHZ  
tOH  
0
0
10  
70  
50  
50  
50  
40  
0
10  
55  
40  
40  
40  
40  
0
tWC  
tCW  
Chip Enable to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Byte Select to End of Write  
Write Pulse Width  
tAW  
t
LBW, tUBW  
tWP  
tAS  
Address Setup Time  
tWR  
Write Recovery Time  
0
0
tWHZ  
tDW  
Write to High-Z Output  
20  
20  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End Write to Low-Z Output  
40  
0
35  
0
tDH  
tOW  
5
10  
ns  
(DOC# 14-02-011 REV G ECN# 01-1272)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
5
12345678...10

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