5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > SRAM> N01L1618N1AT2-70I
N01L1618N1AT2-70I PDF预览

N01L1618N1AT2-70I

更新时间： 2024-01-11 17:34:20
品牌 Logo 应用领域
NANOAMP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 223K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

阅读下载

获取价格

N01L1618N1AT2-70I 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：LSSOP, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.54
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：18.41 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.25 mm
最大待机电流：0.000005 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

N01L1618N1AT2-70I 数据手册

 浏览型号N01L1618N1AT2-70I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N01L1618N1AT2-70I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N01L1618N1AT2-70I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N01L1618N1AT2-70I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N01L1618N1AT2-70I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N01L1618N1AT2-70I的Datasheet PDF文件第7页 
NanoAmp Solutions, Inc.  
N01L1618N1A  
1
Absolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
VIN,OUT  
VCC  
Rating  
–0.3 to VCC+0.3  
–0.3 to 3.0  
500  
Unit  
V
Voltage on any pin relative to VSS  
Voltage on VCC Supply Relative to VSS  
Power Dissipation  
V
PD  
mW  
oC  
oC  
oC  
TSTG  
Storage Temperature  
–40 to 125  
TA  
Operating Temperature  
-40 to +85  
260oC, 10sec  
TSOLDER  
Soldering Temperature and Time  
1. Stresses greater than those listed above may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operating section of this specification is not  
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
Operating Characteristics (Over Specified Temperature Range)  
Typ1  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Max  
Unit  
VCC  
VDR  
VIH  
VIL  
Supply Voltage  
Data Retention Voltage  
Input High Voltage  
1.65  
1.2  
0.7VCC  
1.8  
2.2  
V
V
Chip Disabled3  
VCC+0.3  
0.3VCC  
V
Input Low Voltage  
–0.3  
V
VOH  
VOL  
ILI  
IOH = 0.2mA  
IOL = -0.2mA  
VCC–0.3  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
V
0.3  
0.5  
0.5  
V
VIN = 0 to VCC  
µA  
µA  
ILO  
OE = VIH or Chip Disabled  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0  
Read/Write Operating Supply Current  
ICC1  
ICC2  
0.7  
8
3.0  
16  
mA  
mA  
@ 1 µs Cycle Time2  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0  
Read/Write Operating Supply Current  
@ 85 ns Cycle Time2  
Page Mode Operating Supply Current  
@ 85ns Cycle Time2 (Refer to Power  
Savings with Page Mode Operation  
diagram)  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0,  
ICC3  
3
mA  
µA  
VCC=2.2 V, VIN=VIH or VIL  
Chip Enabled, IOUT = 0,  
f = 0  
Read/Write Quiescent Operating Sup-  
ply Current3  
ICC4  
20  
VIN = VCC or 0V  
Chip Disabled  
Maximum Standby Current3  
ISB1  
0.5  
10  
5
µA  
µA  
tA= 85oC, VCC = 2.2 V  
VCC = 1.2V, VIN = VCC or 0  
Chip Disabled, tA= 85oC  
Maximum Data Retention Current3  
IDR  
1. Typical values are measured at Vcc=Vcc Typ., TA=25°C and are not 100% tested.  
2. This parameter is specified with the outputs disabled to avoid external loading effects. The user must add current required to drive  
output capacitance expected in the actual system.  
3. This device assumes a standby mode if the chip is disabled (CE high). In order to achieve low standby current all inputs must be  
within 0.2 volts of either VCC or VSS  
(DOC# 14-02-009 REV F ECN# 01-0995)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
3
1234567...10

下载PDF

与N01L1618N1AT2-70I相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
N01L1618N1AT2-85I ONSEMI Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44

获取价格
N01L1618N1AT-70I NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

获取价格
N01L1618N1AT-85I ONSEMI Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

获取价格
N01L163WC2A NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

获取价格
N01L163WC2AB NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

获取价格
N01L163WC2AB1 NANOAMP 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

获取价格

与N01L1618N1AT2-70I相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证