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N01L1618N1AT2-70I

更新时间： 2024-01-27 00:46:25

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	223K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

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N01L1618N1AT2-70I 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LSSOP, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.54
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

NanoAmp Solutions, Inc.

N01L1618N1A

Timing Waveform of Write Cycle (WE control)

Address

, t

LBW UBW

LB, UB

High-Z

Data Valid

Data In

Data Out

WHZ

High-Z

Timing Waveform of Write Cycle (CE Control)

Address

, t

LBW UBW

UB, LB

Data Valid

Data In

WHZ

High-Z

Data Out

(DOC# 14-02-009 REV F ECN# 01-0995)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N01L1618N1AT2-85I	ONSEMI	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44	获取价格
N01L1618N1AT-70I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L1618N1AT-85I	ONSEMI	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	获取价格
N01L163WC2A	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WC2AB	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L163WC2AB1	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格