5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.39 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.34 mm |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 最小待机电流： | 1.2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.016 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N01L1618N1AB-70I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
| N01L1618N1AB-85I | ONSEMI | 64KX16 STANDARD SRAM, 85ns, PBGA48, BGA-48 |
获取价格 |
|
| N01L1618N1AT | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
| N01L1618N1AT2 | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
| N01L1618N1AT2-70I | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
获取价格 |
|
| N01L1618N1AT2-85I | ONSEMI | Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 |
获取价格 |
|
SI2301 N沟道MOSFET：资料手册参数分析
ADC0809逐次逼近寄存器型模数转换器：资料手册参数分析
AD9361捷变收发器：全面参数解析与关键特性概览
IRF3205功率MOSFET：资料手册参数分析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
