Datasheet > N01L1618N1AB-85I

N01L1618N1AB-85I

更新时间： 2024-02-15 00:06:38

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	184K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 85ns, PBGA48, BGA-48

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

N01L1618N1AB-85I 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.34 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

N01L1618N1AB-85I 数据手册

AMI Semiconductor, Inc.

ULP Memory Solutions

670 North McCarthy Blvd. Suite 220

Milpitas, CA 95035

N01L1618N1A

PH: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770

1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

64K × 16 bit

Features

Overview

• Single Wide Power Supply Range

1.65 to 2.2 Volts

The N01L1618N1A is an integrated memory

device containing a 1 Mbit Static Random Access

Memory organized as 65,536 words by 16 bits. The

device is designed and fabricated using AMI

Semiconductor’s advanced CMOS technology to

provide both high-speed performance and ultra-low

power. The device operates with a single chip

enable (CE) control and output enable (OE) to

allow for easy memory expansion. Byte controls

(UB and LB) allow the upper and lower bytes to be

accessed independently. The N01L1618N1A is

optimal for various applications where low-power is

critical such as battery backup and hand-held

devices. The device can operate over a very wide

• Very low standby current

0.5µA at 1.8V (Typical)

• Very low operating current

0.7mA at 1.8V and 1µs (Typical)

• Very low Page Mode operating current

0.5mA at 1.8V and 1µs (Typical)

• Simple memory control

Single Chip Enable (CE)

Byte control for independent byte operation

Output Enable (OE) for memory expansion

• Low voltage data retention

Vcc = 1.2V

temperature range of -40 C to +85 C and is

available in JEDEC standard packages compatible

with other standard 64Kb x 16 SRAMs.

• Very fast output enable access time

30ns OE access time

• Automatic power down to standby mode

• TTL compatible three-state output driver

• Compact space saving BGA package avail-

able

• RoHS Compliant

Product Family

Standby

Operating

Current (Icc),

Typical

Operating

Power

Current (I_SB),

Part Number

Package Type

Speed

Temperature Supply (Vcc)

Typical

N01L1618N1AB

N01L1618N1AT

48 - BGA

44 - TSOP II

70ns @ 1.8V

85ns @ 1.65V

0.7 mA @

1MHz

-40^oC to +85^oC

1.65V - 2.2V

0.5 µA

N01L1618N1AB2 48 - BGA Green

N01L1618N1AT2 44 - TSOP II Green

(DOC# 14-02-009 REV G ECN# 01-0995)

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与N01L1618N1AB-85I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N01L1618N1AT	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L1618N1AT2	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L1618N1AT2-70I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L1618N1AT2-85I	ONSEMI	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44	获取价格
N01L1618N1AT-70I	NANOAMP	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L1618N1AT-85I	ONSEMI	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

N01L1618N1AB-85I

N01L1618N1AB-85I 技术参数

N01L1618N1AB-85I 数据手册

与N01L1618N1AB-85I相关器件

与N01L1618N1AB-85I相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

N01L1618N1AB-85I

N01L1618N1AB-85I 技术参数

N01L1618N1AB-85I 数据手册

与N01L1618N1AB-85I相关器件

与N01L1618N1AB-85I相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？