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N01L1618N1AB-85I

更新时间： 2024-02-24 23:06:26
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 184K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 85ns, PBGA48, BGA-48

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N01L1618N1AB-85I 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.86
最长访问时间：85 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：8 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.34 mm最大供电电压 (Vsup)：2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：6 mmBase Number Matches：1

N01L1618N1AB-85I 数据手册

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AMI Semiconductor, Inc.  
Timing Test Conditions  
N01L1618N1A  
Item  
0.1VCC to 0.9 VCC  
Input Pulse Level  
Input Rise and Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
5ns  
0.5 VCC  
CL = 30pF  
-40 to +85 oC  
Operating Temperature  
Timing  
1.65 - 2.2 V  
1.8 - 2.2 V  
Units  
Item  
Symbol  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
tRC  
tAA  
Read Cycle Time  
85  
70  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
85  
85  
35  
30  
70  
70  
30  
25  
tCO  
Chip Enable to Valid Output  
Output Enable to Valid Output  
Byte Select to Valid Output  
Chip Enable to Low-Z output  
Output Enable to Low-Z Output  
Byte Select to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Byte Select Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Write Cycle Time  
tOE  
tLB, tUB  
tLZ  
10  
5
10  
5
tOLZ  
tLBZ, tUBZ  
tHZ  
10  
10  
30  
30  
30  
25  
25  
25  
tOHZ  
tLBHZ, tUBHZ  
tOH  
5
5
tWC  
85  
50  
50  
50  
50  
0
70  
40  
40  
40  
40  
0
tCW  
Chip Enable to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Byte Select to End of Write  
Write Pulse Width  
tAW  
t
LBW, tUBW  
tWP  
tAS  
Address Setup Time  
tWR  
Write Recovery Time  
0
0
tWHZ  
tDW  
Write to High-Z Output  
25  
20  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End Write to Low-Z Output  
40  
0
35  
0
tDH  
tOW  
10  
10  
ns  
(DOC# 14-02-009 REV G ECN# 01-0995)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.  
6
1...3456789...11

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