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N01L083WC2AT2-55I

更新时间: 2024-02-06 20:59:10
品牌 Logo 应用领域
NANOAMP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 233K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32

N01L083WC2AT2-55I 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:GREEN, TSOP1-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.25 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:8 mm
Base Number Matches:1

N01L083WC2AT2-55I 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.  
N01L083WC2A  
32-Lead STSOP-I Package (N32)  
11.80±0.10  
0.50mm REF  
8.0±0.10  
0.27  
0.17  
13.40±0.20  
SEE DETAIL B  
DETAIL B  
1.10±0.15  
o
o
0 -8  
0.20  
0.00  
0.80mm REF  
Note:  
1. All dimensions in millimeters  
2. Package dimensions exclude molding flash  
(DOC# 14-02-008 REV H ECN# 01-1283)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
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