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MZ51256L-70

更新时间: 2024-01-24 12:05:05
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 174K
描述
x8 SRAM

MZ51256L-70 技术参数

生命周期:Active包装说明:QFP, QFP32,.53X.63,50
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQFP-G32
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QFP
封装等效代码:QFP32,.53X.63,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0008 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.125 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

MZ51256L-70 数据手册

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