是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SON | 包装说明: | VSON, SOLCC8,.11,20 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | 20 YEAR DATA RETENTION |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
长度: | 3 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.11,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.6 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.35 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 2 mm | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MX25V512E | Macronix | 512K-BIT [x 1/x 2] CMOS SERIAL FLASH |
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MX25V512E | Macronix | H/W Hold |
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MX25V512EMI13G | Macronix | 512K-BIT [x 1/x 2] CMOS SERIAL FLASH |
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MX25V512EOI13G | Macronix | 512K-BIT [x 1/x 2] CMOS SERIAL FLASH |
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MX25V512EZUI13G | Macronix | 512K-BIT [x 1/x 2] CMOS SERIAL FLASH |
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MX25V512EZUI-13G | Macronix | Flash, 256KX2, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.60 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, HALOGEN-FREE AND ROHS COMPL |
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