5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> MVSMBGP6KE6.8C
MVSMBGP6KE6.8C PDF预览

MVSMBGP6KE6.8C

更新时间： 2024-01-03 06:29:58
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
4页 222K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

阅读下载

获取价格

MVSMBGP6KE6.8C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-215AA
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.71
最大击穿电压：7.48 V最小击穿电压：6.12 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-215AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.38 W
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500
最大重复峰值反向电压：5.5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20

MVSMBGP6KE6.8C 数据手册

 浏览型号MVSMBGP6KE6.8C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MVSMBGP6KE6.8C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MVSMBGP6KE6.8C的Datasheet PDF文件第4页 
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA, e3 and  
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA, e3  
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE  
SUPPRESSOR  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
BREAKDOWN VOLTAGE  
V(BR)  
TEST  
CURRENT  
RATED  
STANDOFF  
VOLTAGE  
MAX  
STANDBY  
CURRENT  
MAX  
CLAMPING  
VOLTAGE  
PEAK PULSE  
CURRENT  
TEMPERATURE  
COEFFICIANT  
of V(BR)  
MICROSEMI  
PART  
NUMBER  
(add SMBJ or  
SMBG prefix)  
I(BR)  
mA  
VWM  
V
81  
85.5  
89.2  
94  
97.2  
102  
105  
111  
121  
128  
130  
136  
138  
145  
146  
154  
162  
171  
I
D @ VWM  
V
C @ IPP  
V
IPP  
A
Min.  
Nom.  
Max.  
αV(BR)  
% / oC  
.106  
.106  
.107  
.107  
.107  
.107  
.107  
.107  
.108  
.108  
.108  
.108  
.108  
.108  
.108  
.108  
.108  
.108  
VDC  
VDC  
VDC  
μA  
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
P6KE100  
P6KE100A  
P6KE110  
P6KE110A  
P6KE120  
P6KE120A  
P6KE130  
P6KE130A  
P6KE150  
P6KE150A  
P6KE160  
P6KE160A  
P6KE170  
P6KE170A  
P6KE180  
P6KE180A  
P6KE200  
P6KE200A  
90  
95  
99  
100  
100  
110  
110  
120  
120  
130  
130  
150  
150  
160  
160  
170  
170  
180  
180  
200  
200  
110  
105  
121  
116  
132  
126  
143  
137  
165  
158  
176  
168  
187  
179  
198  
189  
220  
210  
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
144  
137  
158  
152  
173  
165  
187  
179  
215  
207  
230  
219  
244  
234  
258  
246  
287  
274  
4.2  
4.4  
3.8  
3.4  
3.5  
3.6  
3.2  
3.3  
2.8  
2.9  
2.6  
2.7  
2.5  
2.6  
2.3  
2.4  
2.1  
2.2  
105  
108  
114  
117  
124  
135  
143  
144  
152  
153  
161  
162  
171  
180  
190  
Consult factory for higher voltages.  
For Bidirectional construction, indicate a C or CA suffix after part number, i.e. SMBJP6KE200CA. For RoHS compliant construction, indicate an “e3”  
suffix after part number, i.e. SMBJP6KE200CAe3. Capacitance will be one-half that shown in Figure 4.  
SYMBOLS & DEFINITIONS  
Symbol  
VWM  
PPP  
Definition  
Working Peak (Standoff) Voltage  
Peak Pulse Power  
Symbol  
Definition  
Peak Pulse Current  
IPP  
VC  
Clamping Voltage  
V(BR)  
ID  
Breakdown Voltage  
Standby Current  
I(BR)  
Breakdown Current for V(BR)  
GRAPHS  
50  
30  
20  
TC = 25oC  
10  
7.0  
5.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.7  
0.5  
0.3  
0.2  
0.1  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
100  
200  
1000  
10,000  
Test waveform parmeters: tr=10 μs, tp=1000 μs  
tw – Pulse Width - μs  
FIGURE 2  
FIGURE 1  
Peak Pulse Power vs. Pulse Time  
Pulse Waveform for  
Exponential Surge  
Copyright © 2007  
6-21-2007 Rev C  
Microsemi  
Page 3  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  
1234

下载PDF

与MVSMBGP6KE6.8C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MVSMBGP6KE6.8CATR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

获取价格
MVSMBGP6KE6.8CE3TR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

获取价格
MVSMBGP6KE6.8E3TR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

获取价格
MVSMBGP6KE6.8TR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

获取价格
MVSMBGP6KE62 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 50.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

获取价格
MVSMBGP6KE62AE3TR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 53V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

获取价格

与MVSMBGP6KE6.8C相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证