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MURH860CT PDF预览

MURH860CT

更新时间： 2024-02-20 22:03:58
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
ULTRAFAST RECTIFIER 8.0 AMPERES, 600 VOLTS

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MURH860CT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.12
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MURH860CT 数据手册

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MURH860CT  
Preferred Device  
MEGAHERTZt  
Power Rectifier  
These state-of-the-art are MEGAHERTZ power rectifiers are  
designed for use in switching power supplies, inverters and as free  
wheeling diodes.  
http://onsemi.com  
Features  
• Ultrafast 35 Nanosecond Recovery Times  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• Popular TO-220 Package  
ULTRAFAST RECTIFIER  
8.0 AMPERES, 600 VOLTS  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• High Temperature Glass Passivated Junction  
• High Voltage Capability to 600 V  
• Low Leakage Specified @ 150°C Case Temperature  
• Current Derating @ Both Case and Ambient Temperatures  
• Pb−Free Package is Available*  
1
2, 4  
3
4
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 1.9 Grams (Approximately)  
TO−220AB  
CASE 221A  
PLASTIC  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
1
2
3
• Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAM  
MAXIMUM RATINGS (Per Leg)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
600  
V
RRM  
V
RWM  
V
R
AY WW  
UH860G  
AKA  
Average Rectified Forward Current  
I
4.0  
8.0  
A
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 120°C) Total Device  
R
C
Peak Repetitive Forward Current (Rated  
I
16  
FM  
V , Square Wave, 20 kHz, T = 120°C)  
R
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
100  
FSM  
A
Y
WW  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +175  
°C  
stg  
UH860 = Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)  
G
AKA  
= Pb−Free Package  
= Diode Polarity  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Max. Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
3.0  
°C/W  
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Device  
Package  
Shipping  
MURH860CT  
TO−220  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
MURH860CTG  
TO−220  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 3  
MURH860CT/D  
1234

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