是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-263 |
包装说明: | D2PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.72 |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 55 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 0.035 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MURHB820CT-T3 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | |
MURHB820CT-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | |
MURHB820CT-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, D2PAK-3 | |
MURHB820-T3 | WTE |
获取价格 |
暂无描述 | |
MURHB820-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | |
MURHB830 | WON-TOP |
获取价格 |
SMD | |
MURHB830CT | WON-TOP |
获取价格 |
SMD | |
MURHB830CT-T3 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | |
MURHB830-T3 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | |
MURHB830-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |