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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-263 |
| 包装说明： | D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 55 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MURHB820CT-T3 | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |
|
| MURHB820CT-T3-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |
|
| MURHB820CT-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, D2PAK-3 |
|
| MURHB820-T3 | WTE |
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暂无描述 |
|
| MURHB820-T3-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |
|
| MURHB830 | WON-TOP |
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SMD |
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| MURHB830CT | WON-TOP |
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SMD |
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| MURHB830CT-T3 | WTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 4A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |
|
| MURHB830-T3 | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |
|
| MURHB830-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 300V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 |
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