MUR660FCT

更新时间： 2024-01-07 22:25:35

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美微科 - MCC		/
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2页	455K
描述
6 Amp S uper Fast Glass Pass ivated Rectifier 50 to 600 Volts

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MUR660FCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JEDEC-95代码：	DO-277	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	2 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	反向测试电压：	600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MUR660FCT 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20731 Marilla Street Chatsworth

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MUR605FCT

THRU

Micro Commercial Components

MUR660FCT

Features

Glass passivated junction

Superfast recovery time for hight efficiency

Low profile package

6 Amp S uper Fast

GlassPassivated

Rectifier

50 to 600 Volts

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

ITO-220AB

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

MUR605FCT MUR605FCT

MUR610FCT MUR610FCT

MUR620FCT MUR620FCT

MUR640FCT MUR640FCT

MUR660FCT MUR660FCT

35V

70V

140V

280V

420V

50V

100V

200V

400V

600V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

6 A

T_A= 75°C

PIN 1

PIN 3

PIN 2

I_FSM

60A

8.3ms, half sine

Maximum Forward

Voltage Drop Per

0.975V

1.3V

1.7 V

V_F

I_FM= 3 A per

element;

T_A= 25°C*

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ

605FCT-620FCT

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

Element

INCHES

ꢃꢂꢄ

640FCT

660FCT

ꢁꢂꢃ

ꢃꢅꢆ

.606

.406

.112

ꢃꢂꢄ

14.80

---

ꢃꢅꢆ

15.40

10.30

2.85

ꢄꢇꢈꢉ

.583

---

.100

.248

---

Maximum DC

2.55

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_R

5.0uA T_A= 25°C

50uA

.272

.161

6.30

---

6.90

4.10

1.80

13.80

T_A= 100°C

---

.512

.071

.543

---

13.00

.100

2.55

Maximum Reverse

Recovery Time

T_rr

I_F=0.5A,

I_rr=0.25A

IR=1.0A

---

.118

---

.098

.035

.032

.134

.189

.130

.114

---

3.00

---

2.50

0.90

0.80

3.40

4.80

3.30

605FCT- 620FCT

35ns

60ns

75ns

640FCT

2.90

660FCT

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

Revision: 1

2006/03/20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MUR660P-T	RECTRON	Rectifier Diode,	获取价格
MUR660P-W	RECTRON	Rectifier Diode,	获取价格
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