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MUR660FCT-BP

更新时间: 2024-11-20 12:57:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 94K
描述
Rectifier Diode,

MUR660FCT-BP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
应用:EFFICIENCY外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:5 µA最大反向恢复时间:0.075 µs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

MUR660FCT-BP 数据手册

 浏览型号MUR660FCT-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MUR605CT  
THRU  
MUR660CT  
Features  
·
Glass passivated chip  
·
·
·
Superfast switching time for hight efficiency  
Low reverse leakage current  
High surge capacity  
6 Amp Super Fast  
Glass Passivated  
Rectifier  
50 to 600 Volts  
Maximum Ratings  
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
TO-220AB  
Microsemi  
Catalog  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Maximum Maximum  
C
B
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
S
F
Number  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
4
Q
T
MUR605CT MUR605CT  
MUR610CT MUR610CT  
MUR620CT MUR620CT  
MUR640CT MUR640CT  
MUR660CT MUR660CT  
35V  
70V  
140V  
280V  
420V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
A
U
1
2
3
400V  
600V  
H
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
PIN 4.  
ANODE  
CATHODE  
ANODE  
K
CATHODE  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
V
D
L
J
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
6 A  
TC = 130°C  
R
G
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
75A  
8.3ms, half sine  
N
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
Element  
VF  
IFM = 3 A per  
element;  
TA = 25°C*  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
605CT-620CT  
ꢇ ꢇ ꢇ ꢇ  
.975V  
1.25 V  
INCHES  
ꢂꢁꢄ  
MM  
ꢀꢁꢂ  
A
B
C
D
F
ꢂꢈꢉ  
ꢂꢁꢄ  
14.48  
9.66  
ꢂꢈꢉ  
15.75  
10.28  
4.82  
ꢄꢆꢊꢃ  
640CT- 660CT  
.570  
.380  
.160  
.025  
.142  
.620  
.405  
.190  
Maximum DC  
4.06  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
IR  
5.0uA TJ = 25°C  
.035  
.147  
0.64  
3.61  
0.89  
3.73  
2.66  
3.93  
50uA  
TJ = 100°C  
G
H
.095  
.110  
.105  
.155  
2.42  
2.80  
J
K
L
Q
R
S
.018  
.500  
.045  
.100  
.080  
.045  
.025  
.562  
.060  
.120  
.110  
.055  
0.46  
12.70  
1.14  
2.54  
2.04  
1.14  
0.64  
14.27  
1.52  
3.04  
2.79  
1.39  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
Trr  
IF=8.0A,  
Irr=0.25A  
605CT- 620  
35ns  
60ns  
75ns  
640CT  
T
U
.235  
------  
.255  
.050  
5.97  
-----  
6.48  
1.27  
660CT  
V
.045  
------  
1.15  
-------  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  

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