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MUR120-A PDF预览

MUR120-A

更新时间： 2024-11-19 04:14:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER

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MUR120-A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.2
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.71 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：35 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.025 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Bright Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MUR120-A 数据手册

 浏览型号MUR120-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MUR120-A的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: MUR120  
MUR120  
1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  
Surge Overload Rating to 35A Peak  
A
B
A
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)  
C
D
Mechanical Data  
·
·
Case: DO-41  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
DO-41 Plastic  
Min  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Dim  
A
Max  
¾
Terminals: Finish - Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
25.40  
B
4.06  
5.21  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
C
0.71  
2.00  
0.864  
2.72  
Ordering Information: See Last Page  
Marking: R120  
D
All Dimensions in mm  
Weight: 0.34 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
200  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
140  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TL = 130°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
35  
A
Forward Voltage  
@ IF = 1.0A, TJ = 25°C  
@ IF = 1.0A, TJ = 150°C  
0.875  
0.710  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TJ = 25°C  
@ TJ = 150°C  
2.0  
50  
mA  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
25  
27  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
RqJL  
Typical Thermal Resistance, Junction to Lead  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
K/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4V DC.  
2. Measured with I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See Figure 6.  
F
R
rr  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS30178 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
MUR120  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
MUR120-B DIODES

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MUR120-BP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
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