5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP12N10ELT | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP12N10ELU | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP12N10ELU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
12 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP12N10ELUA | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP12N10ELW | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| MTP12N10ELWC | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP12N10EN | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| MTP12N10ES | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| MTP12N10EU | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| MTP12N10EU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
