是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.3 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX1 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class C |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.0005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT5C2561C-45L/IT | AUSTIN |
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MT5C2561 SRAM MEMORY ARRAY |
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MT5C2561C-45L/XT | AUSTIN |
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MT5C2561 SRAM MEMORY ARRAY |
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MT5C2561C-45L883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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MT5C2561C-45XT | MICROSS |
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256KX1 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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MT5C2561C-55/883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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MT5C2561C-55/XT | MICROSS |
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Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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MT5C2561C-55L/883C | AUSTIN |
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MT5C2561 SRAM MEMORY ARRAY |
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MT5C2561C-55L/IT | AUSTIN |
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MT5C2561 SRAM MEMORY ARRAY |
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MT5C2561C-55L/XT | AUSTIN |
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MT5C2561 SRAM MEMORY ARRAY |
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MT5C2561C-55L883C | MICROSS |
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Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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