5秒后页面跳转
MT58L256V32FS-8.8 PDF预览

MT58L256V32FS-8.8

更新时间: 2024-02-21 04:57:10
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 993K
描述
Standard SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

MT58L256V32FS-8.8 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:QFP包装说明:MS-026, TQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.56Is Samacsys:N
最长访问时间:7.5 ns其他特性:AUTOMATIC POWER DOWN; SELF-TIMED WRITE CYCLE; INDIVIDUAL BYTE WRITE
最大时钟频率 (fCLK):113 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:32
功能数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:2.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.28 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MT58L256V32FS-8.8 数据手册

 浏览型号MT58L256V32FS-8.8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT58L256V32FS-8.8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT58L256V32FS-8.8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT58L256V32FS-8.8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT58L256V32FS-8.8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT58L256V32FS-8.8的Datasheet PDF文件第7页 

与MT58L256V32FS-8.8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MT58L256V32FT-10.5 CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 9ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

获取价格

MT58L256V32FT-10IT CYPRESS Cache SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

获取价格

MT58L256V32FT-15 CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

获取价格

MT58L256V32FT-7.5 CYPRESS Cache SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

获取价格

MT58L256V32FT-8 CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 6.8ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

获取价格

MT58L256V32FT-8.5 CYPRESS Cache SRAM, 256KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

获取价格