是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | MS-026, TQFP-100 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 7.5 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER DOWN; SELF-TIMED WRITE CYCLE; INDIVIDUAL BYTE WRITE |
最大时钟频率 (fCLK): | 113 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MT58L256V32FT-10.5 | CYPRESS | Standard SRAM, 256KX32, 9ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 |
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MT58L256V32FT-10IT | CYPRESS | Cache SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
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MT58L256V32FT-15 | CYPRESS | Standard SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 |
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MT58L256V32FT-7.5 | CYPRESS | Cache SRAM, 256KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
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MT58L256V32FT-8 | CYPRESS | Standard SRAM, 256KX32, 6.8ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 |
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MT58L256V32FT-8.5 | CYPRESS | Cache SRAM, 256KX32, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
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