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MT58L256L32DF-6

更新时间： 2024-02-04 17:14:12
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 419K
描述
Cache SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

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MT58L256L32DF-6 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA,针数：165
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.52
最长访问时间：3.5 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e1长度：15 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：165字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
宽度：13 mmBase Number Matches：1

MT58L256L32DF-6 数据手册

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8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36  
3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM  
Pin Assignment (Top View)  
100-Pin TQFP, 3-Chip Enable,  
S Version  
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51  
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DD  
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x32/x36  
CE2#  
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CE2  
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DNU  
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SA  
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MODE  
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*No Function (NF) is used on the x32 version. Parity (DQPx) is used on the x36 version.  
8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM  
MT58L512L18D_D.p65 – Rev. 2/02  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2002, Micron Technology, Inc.  
6
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MT58L256L32DF-6IT CYPRESS Standard SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

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