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MT57W1MH18BF-7.5

更新时间: 2024-01-24 22:26:40
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1082K
描述
1MX18 DDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

MT57W1MH18BF-7.5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数:165Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.59
最长访问时间:0.5 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e0
长度:15 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:DDR SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:165
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:1.5/1.8,1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.125 A最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.235 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:13 mmBase Number Matches:1

MT57W1MH18BF-7.5 数据手册

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