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MSMCGLCE9.0A

更新时间： 2024-10-01 15:44:51

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1166K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN

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MSMCGLCE9.0A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-215AB
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.29
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	11.1 V
最小击穿电压：	10 V	击穿电压标称值：	10.55 V
最大钳位电压：	15.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-215AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	9 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MXLSMCGLCE9.0AE3	MICROSEMI	类似代替	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMCGLCE9.0AE3	MICROSEMI	类似代替	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSMCGLCE9.0AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
MSMCGLCE9.0AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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