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MSM8129JXM-85

更新时间： 2024-01-03 10:11:12

品牌	Logo	应用领域
MOSAIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	299K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CQCC32, JLCC-32

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MSM8129JXM-85 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.52
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-J32
长度：	14.03 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.5 mm
Base Number Matches：	1

MSM8129JXM-85 数据手册

MSM8129-70/85/10/12

Issue 1.0 : February 2000

Military Screening Procedure

Component Screening Flow for high reliability product is in accordance with Mil-883 method 5004

MB COMPONENT SCREENING FLOW

SCREEN

TEST METHOD

LEVEL

Visual and Mechanical

Internal visual

2010 Condition B or manufacturers equivalent

1010 Condition C (10 Cycles,-65^oC to +150^oC)

2001 Condition E (Y, only) (30,000g)

100%

Temperature cycle

Constant acceleration

Pre-Burn-in electrical

Burn-in

Per applicable device specifications at T_A=+25^oC

Method 1015,Condition D,T_A=+125^oC,160hrs min

Final Electrical Tests

Per applicable Device Specification

Static (dc)

a) @ T_A=+25^oC and power supply extremes

b) @ temperature and power supply extremes

100%

Functional

a) @ T_A=+25^oC and power supply extremes

b) @ temperature and power supply extremes

100%

Switching (ac)

a) @ T_A=+25^oC and power supply extremes

b) @ temperature and power supply extremes

100%

Percent Defective allowable (PDA)

Hermeticity

Calculated at post-burn-in at T_A=+25^oC

1014

Fine

Gross

Condition A

Condition C

100%

External Visual

2009 Per vendor or customer specification

100%

1...5 6 789

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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