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MSM54V16258B-40TS-K

更新时间： 2024-02-08 04:33:14

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	959K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-44/40

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MSM54V16258B-40TS-K 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.26
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	40 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MSM54V16258B-45JS	OKI	EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格
MSM54V16258B-45TS-K	OKI	EDO DRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-44/40	获取价格
MSM54V16258B-50JS	OKI	EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格
MSM54V16258BSL	OKI	262,144-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM :FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO	获取价格
MSM54V16258BSL-40JS	OKI	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格
MSM54V16258BSL-40TS-K	OKI	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-44/40	获取价格