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MSM54C865-80

更新时间: 2024-01-30 21:47:55
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器
页数 文件大小 规格书
44页 463K
描述
65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

MSM54C865-80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:DIP, ZIP40,.1针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.59
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDIP-T40长度:51.2 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:40
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:ZIP40,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:12.07 mm
最大待机电流:0.045 A子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.11 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:2.8 mmBase Number Matches:1

MSM54C865-80 数据手册

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MSM54C865  
¡ Semiconductor  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Absolute Maximum Ratings  
(Note: 16)  
Parameter  
Input Output Voltage  
Output Current  
Symbol  
VT  
Condition  
Ta = 25°C  
Ta = 25°C  
Ta = 25°C  
Rating  
–1.0 to 7.0  
50  
Unit  
V
IOS  
mA  
W
Power Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
PD  
1
Topr  
Tstg  
0 to 70  
–55 to 150  
°C  
°C  
Recommended Operating Conditions  
(Ta = 0°C to 70°C) (Note: 17)  
Parameter  
Power Supply Voltage  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Symbol  
VCC  
Min.  
4.5  
Typ.  
5.0  
Max.  
5.5  
Unit  
V
V
V
VIH  
2.4  
6.5  
VIL  
–1.0  
0.8  
Capacitance  
(VCC = 5 V 10ꢀ% f = 1 MHꢁ% Ta = 25°C)  
Parameter  
Input Capacitance  
Symbol  
CI  
Min.  
Max.  
Unit  
pF  
7
9
9
Input/Output Capacitance  
Output Capacitance  
CI/O  
pF  
CO(QSF)  
pF  
Note:  
This parameter is periodically sampled and is not 100% tested.  
DC Characteristics 1  
Parameter  
Output "H" Level Voltage  
Output "L" Level Voltage  
Symbol  
VOH  
Condition  
OH = –2 mA  
OL = 2 mA  
Min.  
2.4  
Max.  
Unit  
I
V
VOL  
I
0.4  
0 £ VIN £ VCC  
All other pins not  
under test = 0 V  
0 £ VOUT £ 5.5 V  
Output Disable  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
ILI  
–10  
–10  
10  
10  
mA  
ILO  
4/44  

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