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MSM54C864-10

更新时间： 2024-02-15 21:56:05
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器
页数 文件大小 规格书
33页 354K
描述
65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM

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MSM54C864-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：ZIP
包装说明：ZIP,针数：40
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.71
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：100 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 8 SAM PORT
JESD-30 代码：R-PZIP-T40长度：51.2 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：40
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：ZIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：12.07 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：1.27 mm
端子位置：ZIG-ZAG宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

MSM54C864-10 数据手册

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¡ Semiconductor  
MSM54C864  
AC Characteristics (2/3)  
(VCC = 5 V 10ꢀ, Ta = 0°C to 70°C) Note 4, 5, 6  
-70  
-80  
-10  
Parameter  
Symbol  
Unit Note  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
Data Set-up Time  
tDS  
tDH  
0
15  
55  
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20  
10  
—
—
—
—
—
—
4
0
15  
55  
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20  
10  
—
—
—
—
—
—
4
0
15  
70  
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25  
20  
—
—
—
—
—
—
4
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
11  
11  
Data Hold Time  
Data Hold Time referenced to RAS  
Write Command Set-up Time  
RAS to WE Delay Time  
tDHR  
tWCS  
tRWD  
tAWD  
tCWD  
tDZC  
tDZO  
tOEA  
tOEZ  
tOED  
tOEH  
tROH  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
tREF  
tWSR  
tRWH  
tMS  
12  
12  
12  
12  
100  
65  
45  
0
100  
65  
45  
0
130  
80  
55  
0
Column Address to WE Delay Time  
CAS to WE Delay Time  
Data to CAS Delay Time  
Data to OE Delay Time  
0
0
0
Access Time from OE  
—
0
—
0
—
0
7
9
Output Buffer Turn-off Delay from OE  
OE to Data Delay Time  
10  
10  
15  
10  
10  
0
10  
10  
15  
10  
10  
0
20  
20  
15  
10  
10  
0
OE Command Hold Time  
RAS Hold Time referenced to OE  
CAS Set-up Time for CAS before RAS Cycle  
CAS Hold Time for CAS before RAS Cycle  
RAS Precharge to CAS Active Time  
Refresh Period  
—
0
—
0
—
0
WB Set-up Time  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
WB Hold Time  
15  
0
15  
0
15  
0
Write Per Bit Mask Data Set-up Time  
Write Per Bit Mask Data Hold Time  
DT High Set-up Time  
tMH  
15  
0
15  
0
15  
0
tTHS  
tTHH  
tTLS  
tTLH  
DT High Hold Time  
15  
0
15  
0
15  
0
DT Low Set-up Time  
DT Low Hold Time  
15 10k 15 10k 15 10k ns  
DT Low Hold Time referenced to RAS  
(Real Time Read Transfer)  
tRTH  
tATH  
tCTH  
60 10k 65 10k 80 10k ns  
DT Low Hold Time referenced to Column Address  
(Real Time Read Transfer)  
25  
20  
—
—
30  
25  
—
—
30  
25  
—
—
ns  
ns  
DT Low Hold Time referenced to CAS  
(Real Time Read Transfer)  
SE Set-up Time referenced to RAS  
SE Hold Time referenced to RAS  
DT to RAS Precharge Time  
tESR  
tREH  
tTRP  
tTP  
0
—
—
—
—
—
—
—
—
0
—
—
—
—
—
—
—
—
0
15  
70  
30  
100  
50  
25  
5
—
—
—
—
—
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
15  
60  
20  
70  
45  
20  
5
15  
60  
20  
80  
45  
25  
5
DT Precharge Time  
RAS to First SC Delay Time (Read Transfer)  
Column Address to First SC Delay Time (Read Transfer)  
CAS to First SC Delay Time (Read Transfer)  
Last SC to DT Lead Time (Real Time Read Transfer)  
tRSD  
tASD  
tCSD  
tTSL  
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