是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.1 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | CURRENT REGULATOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-7 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 膝阻抗最大值: | 61000 Ω |
最大限制电压: | 1.85 V | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.475 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称调节电流 (Ireg): | 2 mA |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 表面贴装: | NO |
技术: | FIELD EFFECT | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MS1N5306 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 2.2mA I(S), 1.95V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5307 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 2.4mA I(S), 2V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5308 | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
MS1N5309 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5310 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 3.3mA I(S), 2.35V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5311 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 3.6mA I(S), 2.5V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5312 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 3.9mA I(S), 2.6V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5313 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 4.3mA I(S), 2.75V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N5314 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 4.7mA I(S), 2.9V V(L), Silicon, DO-7 | |
MS1N8165E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode |