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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.08 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | CURRENT REGULATOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 膝阻抗最大值： | 44000 Ω |
| 最大限制电压： | 2 V | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.475 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称调节电流 (Ireg)： | 2.4 mA |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | FIELD EFFECT | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MS1N5308 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| MS1N5309 | MICROSEMI |
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Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-7 |
|
| MS1N5310 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 3.3mA I(S), 2.35V V(L), Silicon, DO-7 |
|
| MS1N5311 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 3.6mA I(S), 2.5V V(L), Silicon, DO-7 |
|
| MS1N5312 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 3.9mA I(S), 2.6V V(L), Silicon, DO-7 |
|
| MS1N5313 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 4.3mA I(S), 2.75V V(L), Silicon, DO-7 |
|
| MS1N5314 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 4.7mA I(S), 2.9V V(L), Silicon, DO-7 |
|
| MS1N8165E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| MS1N8172E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| MS1N8181E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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