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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | CURRENT REGULATOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-7 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 膝阻抗最大值： | 335000 Ω | 最大限制电压： | 1.2 V |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.475 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称调节电流 (Ireg)： | 0.75 mA | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | FIELD EFFECT |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5294-1E3 | MICROSEMI |
功能相似  |
Current Regulator Diode, 0.75mA I(S), 1.2V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S |
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| 1N5294 | CENTRAL |
功能相似 |
SILICON CURRENT LIMITING DIODE DESCRIPTION: |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MS1N5295 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 0.82mA I(S), 1.25V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5297 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1mA I(S), 1.35V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5298 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.1mA I(S), 1.4V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5299 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.2mA I(S), 1.45V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5300 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.3mA I(S), 1.5V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5301 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.4mA I(S), 1.55V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5302 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.5mA I(S), 1.6V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5303 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.6mA I(S), 1.65V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5304 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 1.8mA I(S), 1.75V V(L), Silicon, DO-7 |
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| MS1N5305 | MICROSEMI |
获取价格 |
Current Regulator Diode, 2mA I(S), 1.85V V(L), Silicon, DO-7 |
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