是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LFBGA, | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B48 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度: | 1.35 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MR1A16AMYS35 | EVERSPIN |
获取价格 |
128K x 16 MRAM Memory | |
MR1A16AMYS35R | EVERSPIN |
获取价格 |
128K x 16 MRAM Memory | |
MR1A16ATS35C | NXP |
获取价格 |
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44 | |
MR1A16AVMA35 | EVERSPIN |
获取价格 |
128K x 16 MRAM Memory | |
MR1A16AVMA35R | EVERSPIN |
获取价格 |
128K x 16 MRAM Memory | |
MR1A16AVTS35C | FREESCALE |
获取价格 |
256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM | |
MR1A16AVYS35 | FREESCALE |
获取价格 |
64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM | |
MR1A16AVYS35 | EVERSPIN |
获取价格 |
128K x 16 MRAM Memory | |
MR1A16AVYS35R | EVERSPIN |
获取价格 |
128K x 16 MRAM Memory | |
MR1A16AYS35 | FREESCALE |
获取价格 |
64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |