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MR1A16AVYS35

更新时间： 2024-09-25 02:55:11

品牌	Logo	应用领域
EVERSPIN		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	1066K
描述
128K x 16 MRAM Memory

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MR1A16AVYS35 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.028 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MR1A16AVYS35 数据手册

MR1A16A

128K x 16 MRAM Memory

FEATURES

• Fast 35 ns Read/Write cycle

• SRAM compatible timing, uses existing SRAM control-

lers without redesign

• Unlimited Read & Write endurance

• Data non-volatile for >20 years at temperature

• One memory replaces Flash, SRAM, EEPROM and

BBSRAM in a system for simpler, more eﬃcient design

• Replaces battery-backed SRAM solutions with MRAM

to improve reliability

44-pin TSOP2

• 3.3 volt power supply

• Automatic data protection on power loss

• Commercial, Industrial, Extended temperatures

• AEC-Q100 Grade 1 option

48-ball BGA

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

• RoHS-compliant SRAM TSOP2 and BGA Packages

INTRODUCTION

The MR1A16A is a 2,097,152-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device orga-

nized as 131,072 words of 16 bits. The MR1A16A oﬀers SRAM compatible 35 ns read/write timing

with unlimited endurance. Data is always non-volatile for greater than 20 years. Data is automati-

cally protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of

speciﬁcation.

The MR1A16A is the ideal memory solution for applications that must permanently store and re-

trieve critical data and programs quickly.

The MR1A16A is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package and a 44-pin thin

small outline package (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM

products and other nonvolatile RAM products.

The MR1A16A provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The prod-

uct is oﬀered with Commercial (0 to +70 °C), Industrial (-40 to +85 °C), Extended (-40 to +105 °C),

and AEC-Q100 Grade 1 (-40 to +125 °C) operating temperature range options.

MR1A16A Rev. 1.1 03/2020

12 3 4 5 6 7...20

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MR1A16AVYS35 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR1A16ACYS35	EVERSPIN	类似代替	128K x 16 MRAM Memory
MR2A16AVYS35R	EVERSPIN	功能相似	256K x 16 MRAM Memory
MR2A16AYS35R	EVERSPIN	功能相似	256K x 16 MRAM Memory

与MR1A16AVYS35相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR1A16AVYS35R	EVERSPIN	获取价格	128K x 16 MRAM Memory
MR1A16AYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR1A16AYS35	EVERSPIN	获取价格	128K x 16 MRAM Memory
MR1A16AYS35R	EVERSPIN	获取价格	128K x 16 MRAM Memory
MR1A8ACYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR1A8AVYS35	NXP	获取价格	暂无描述
MR1A8AYS35	NXP	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-44
MR-1-P5	NEC	获取价格	NEC TOKIN Sensors
MR1S08ACTS35C	FREESCALE	获取价格	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
MR1S08ACYS35	FREESCALE	获取价格	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM

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