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MPSW01

更新时间： 2024-01-13 11:49:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器
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5页	146K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MPSW01 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.3
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

MPSW01 数据手册

MPSW01

NPN General Purpose Amplifier

Features

•

This device is designed for general purpose medium power amplifiers

Sourced from process 37

Absolute Maximum Ratings *

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

VCEO

Collector-Emitter Voltage

VCBO

VEBO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current - Continuous

1.0

P_D

Total Device Dissipation

Derate about 25°C

1.0

8.0

mW/°C

T_{J ,}T_STG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.

Note :

1) These ratings are based on a maximum junction temperature 150 ‘C

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Case*

Thermal Resistance, Junction to Ambien*

Value

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

125

°C/W

* Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm

MPSW01 Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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