MPSH10A

更新时间： 2024-10-01 03:40:55

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5页	130K
描述
RF TRANSISTOR

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MPSH10A 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	650 MHz	Base Number Matches：	1

MPSH10A 数据手册

UTCMPSH10A NPNEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

RF TRANSISTOR

DESCRIPTION

The UTC MPSH10A is desinged for using as VHF

and UHF oscillators and VHF Mixer in a tuner of a TV

receiver.

TO-92

1: BASE 2: EMITTER 3: COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS _{(Ta=25°C )}

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATINGS

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Total Power Dissipation

Collector current

Junction Temperature

Storage Temperature

350

150

°C

TSTG

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS_{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

TEST CONDITIONS

Ic=100µA

MIN TYP MAX UNIT

Ic=1mA

IE=10µA

VCB=25V

VEB=2V

100

500

950

Emitter cut-off current

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

IEBO

VCE(SAT) IC=4mA,IB=400µA

VBE(ON) VCE=10V,IC=4mA

DC current gain

Output capacitace

Current gain bandwidth product

hFE

Cob

VCE=10V,IC=4mA

VCB=10V,f=1MHZ

VCE=10V,IC=4mA,f=100MHZ

0.7

MHZ

650

CLASSIFICATION OF hFE

RANK

RANGE

60-100

90-130

120 -200

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R201-065,A

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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