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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.55 | 基于收集器的最大容量： | 0.65 pF |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPSH10A-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MPSH10A-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MPSH10D26Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MPSH10D27Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MPSH10D75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MPSH10G | ONSEMI |
获取价格 |
VHF/UHF Transistors NPN Silicon |
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| MPSH10G-A-T92-K | UTC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MPSH10G-C-T92-K | UTC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MPSH10G-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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| MPSH10G-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
RF TRANSISTOR |
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