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MPSA42L34Z

更新时间： 2024-02-14 14:54:14

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	881K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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MPSA42L34Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA42L34Z 数据手册

NPN High Voltage Amplifier

(continued)

Typical Characteristics (continued)

Base-Emitter ON Voltage vs

Collector Current

Base-Emitter Saturation

Voltage vs Collector Current

0.8

0.6

0.4

0.2

V_CE= 1V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.6

0.4

0.2

125 °C

β = 10

0.1

100

0.1

100

I _C- COLLECTOR CURRENT (mA)

Collector-Base and Emitter-Base

Capacitance vs Reverse Bias Voltage

Collector-Cutoff Current

vs Ambient Temperature

100

V_CB= 150V

100

1000

100

125

150

REVERSE BIAS VOLTAGE (V)

T _A- AM BIENT TE MPE RATURE ( C)

Power Dissipation vs

Ambient Temperature

0.75

0.5

SOT-223

TO-92

SOT-23

0.25

100

125

150

TEMPERATURE (^oC)

1 234 5 6 7...14

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STM32F103C8T6 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MPSA42M	DCCOM	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	获取价格
MPSA42M1	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI	获取价格