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MPSA42G-T92-B

更新时间： 2024-01-03 18:33:16
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友顺 - UTC 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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MPSA42G-T92-B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MPSA42G-T92-B 数据手册

 浏览型号MPSA42G-T92-B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MPSA42G-T92-B的Datasheet PDF文件第3页 
MPSA42/43  
NPN SILICON TRANSISTOR  
„
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Operating temperature range applies unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
RATINGS  
300  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
MPSA42  
MPSA43  
MPSA42  
MPSA43  
200  
V
Collector-Emitter Voltage  
300  
V
VCEO  
200  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VEBO  
Ic  
6
V
500  
mA  
mW  
mW  
°C  
°C  
SOT-89  
TO-92  
500  
Collector Dissipation (Ta=25℃)  
Pc  
625  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
150  
TSTG  
-55 ~ +150  
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.  
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ =25°C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
300  
200  
300  
200  
6
TYP MAX UNIT  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
MPSA42  
MPSA43  
MPSA42  
MPSA43  
V
V
V
V
V
BVCBO Ic=100μA, IE=0  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
BVCEO Ic=1mA, IB=0  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
BVEBO IE=100μA, Ic=0  
MPSA42  
MPSA43  
MPSA42  
VCB=200V, IE=0  
100  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
nA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
VCB=160V, IE=0  
VEB=6V, Ic=0  
IEBO  
MPSA43  
VEB=4V, Ic=0  
VCE=10V, Ic=1mA  
80  
80  
80  
DC Current Gain  
hFE  
VCE=10V, Ic=10mA  
CE=10V, Ic=30mA  
300  
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
VCE(SAT) Ic=20mA, IB=2mA  
VBE(SAT) Ic=20mA, IB=2mA  
0.2  
V
V
0.90  
V
CE=20V, Ic=10mA,  
f=100MHz  
CB=20V, IE=0  
f=1MHz  
Current Gain Bandwidth Product  
fT  
50  
MHz  
MPSA42  
MPSA43  
V
3
4
pF  
pF  
Collector Base Capacitance  
Ccb  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
2 of 3  
QW-R208-034.C  
www.unisonic.com.tw  
123

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