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MPSA27 PDF预览

MPSA27

更新时间： 2024-11-27 22:51:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
Darlington Transistor

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MPSA27 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.11最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-226AAJESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

MPSA27 数据手册

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by MPSA27/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR 3  
BASE  
2
1
2
3
EMITTER 1  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
MPSA25  
MPSA27  
60  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
40  
Vdc  
Vdc  
CES  
10  
EBO  
Collector Current — Continuous  
Total Device Dissipation  
I
500  
mAdc  
C
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
@ T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
200  
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
60  
60  
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CES  
V
(BR)CBO  
(I = 100 µAdc, V  
C BE  
= 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
C
E
Collector Cutoff Current  
I
100  
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 30 V, I = 0)  
E
= 40 V, I = 0)  
E
= 50 V, I = 0)  
E
Collector Cutoff Current  
I
—
—
—
—
500  
100  
nAdc  
nAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 30 V, V  
= 40 V, V  
= 50 V, V  
= 0)  
= 0)  
= 0)  
BE  
BE  
BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc)  
I
EBO  
EB  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS-A27 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
MPSA27-5F CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5F, 3 PIN
MPSA27-AMMO NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
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