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MP6KE56AE3

更新时间： 2024-11-19 18:44:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	470K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 47.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

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MP6KE56AE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	58.8 V	最小击穿电压：	53.2 V
击穿电压标称值：	56 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	77 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.47 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	47.8 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MP6KE56AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 47.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO
MP6KE56AE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE56ATR	MICROSEMI	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE56CAE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 47.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MP6KE56CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE56CATR	MICROSEMI	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, T-18, 2 PIN
MP6KE6.8A	MICROSEMI	获取价格	600W Transient Voltage Suppressor
MP6KE6.8A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
MP6KE6.8AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
MP6KE6.8AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH