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MP4506

更新时间： 2024-10-01 04:14:51
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东芝 - TOSHIBA 驱动器开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 161K
描述
Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching

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MP4506 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T12针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.89
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PSFM-T12
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：12最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

MP4506 数据手册

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MP4506  
TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type  
(Four Darlington Power Transistors inOne)  
MP4506  
Industrial Applications  
High Power Switching Applications  
Unit: mm  
Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load  
Switching  
•
•
Package with heat sink isolated to lead (SIP 12 pins)  
High collector power dissipation (4-device operation)  
: P = 5 W (Ta = 25°C)  
T
•
•
High collector current: I  
High DC current gain: h  
= 5 A (max)  
C (DC)  
= 1000 (min) (V  
= 3 V, I = 3 A)  
CE C  
FE  
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
100  
100  
5
V
V
V
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
I
5
C
Collector current  
A
A
Pulse  
I
8
CP  
TOSHIBA  
2-32B1B  
Continuous base current  
I
0.1  
B
Collector power dissipation  
(1-device operation)  
Weight: 6.0 g (typ.)  
P
3.0  
W
C
Collector power  
dissipation  
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
5.0  
25  
P
W
T
(4-device operation)  
Isolation voltage  
V
1000  
150  
V
Isol  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Array Configuration  
2
4
9
7
11  
10  
5
8
12  
1
3
6
R1 R2  
R1 ≈ 5 kΩ  
R2 ≈ 200 Ω  
1
2004-07-01  
123456

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