MP4514

更新时间： 2024-10-01 04:14:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体电源电路晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type

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MP4514 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	2-32B1B, SIP-12
针数：	12	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T12
元件数量：	4	端子数量：	12
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

MP4514 数据手册

MP4514

TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1)

MP4514

Industrial Applications

High Power Switching Applications.

Unit: mm

Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load

Switching.

Package with heat sink isolated to lead (SIP 12 pin)

High collector power dissipation (4 devices operation)

: P = 5 W (Ta = 25°C)

High collector current: I

High DC current gain: h

= 3 A (max)

C (DC)

= 4000 (min) (V

= 4 V, I = 1 A)

CE C

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CBO

CEO

EBO

120

100

Collector current

Pulse

JEDEC

JEITA

―

Continuous base current

Collector power dissipation

(1 device operation)

0.5

TOSHIBA

2-32B1B

3.0

Weight: 6.0 g (typ.)

Collector power

dissipation

Ta = 25°C

Tc = 25°C

5.0

(4 devices operation)

Isolation voltage

1000

150

Isol

Junction temperature

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Array Configuration

R1 R2

R1 ≈ 4.5 kΩ

R2 ≈ 300 Ω

2002-11-20

12 3 4 5

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