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MP4403

更新时间: 2024-01-20 11:39:05
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 330K
描述
TOSHIBA POWER MOS FET MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE

MP4403 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T12
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.89
Is Samacsys:N配置:2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:120 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:0.44 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T12
元件数量:4端子数量:12
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:28 W
最大功率耗散 (Abs):4.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MP4403 数据手册

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