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MMST4403T146 PDF预览

MMST4403T146

更新时间： 2024-09-28 21:19:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMT3, SC-59, 3 PIN

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MMST4403T146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：6.88
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：7 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

MMST4403T146 数据手册

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SST4403 / MMST4403  
Transistors  
PNP Medium Power Transistor  
(Switching)  
SST4403 / MMST4403  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) BVCEO = −40V (Min.) ; at IC= −1mA  
2) Complements the SST4401 / MMST4401  
SST4403  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
zPackage, marking, and packaging specifications  
ROHM : SST3  
MMST4403  
Part No.  
SST4403 MMST4403  
Packaging type  
SST3  
R2T  
SMT3  
R2T  
Marking  
Code  
T116  
3000  
T146  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
−40  
−40  
−6  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
I
C
−0.6  
A
0.2  
W
W
Collector power  
dissipation  
PC  
0.35  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
Mounted on a 7+ 5+ 0.6mm CERAMIC SUBSTRATE  
∗
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
−
−
−
−
Max.  
Unit  
V
Conditions  
−
−
40  
40  
−
−
−
I
I
I
C
=
=
−
−
100µA  
1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
5
V
E
=
−
=
100µA  
35V  
5V  
I
CBO  
−
−
−
−
0.1  
0.1  
0.4  
µA  
µA  
V
CB  
EB  
−
−
Emitter cutoff current  
I
EBO  
−
−
−
V
=
I
I
I
I
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
=
−
150mA/  
500mA/  
150mA/  
500mA/  
−
−
−
−
15mA  
50mA  
15mA  
50mA  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
−
−
0.75  
0.95  
C
C
C
B
B
B
=
=
=
−
−
−
−
0.75  
−
V
−
−1.3  
30  
60  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
300  
−
V
V
V
V
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
=
−
1V, I  
1V, I  
1V, I  
1V, I  
2V, I  
C
C
C
C
C
=
=
=
=
=
−
−
−
−
−
0.1mA  
1mA  
=
=
=
=
=
=
−
−
−
−
100  
100  
20  
200  
−
−
−
−
−
−
10mA  
150mA  
500mA  
DC current transfer ratio  
hFE  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Delay time  
f
T
−
MHz  
pF  
pF  
ns  
V
V
V
V
V
V
V
CE  
−
−
10V, I  
10V, f  
E
=
20mA, f  
=100MHz  
Cob  
Cib  
td  
8.5  
30  
15  
20  
225  
30  
CB  
=
100kHz  
EB=−0.5V, f=100kHz  
CC  
CC  
CC  
CC  
=
=
=
=
−
−
−
−
30V, VEB(OFF)  
=
=
−
−
2V, I  
2V, I  
C
=
=
−
−
150mA, IB1  
=
=
−
−
15mA  
15mA  
Rise time  
tr  
ns  
30V, VEB(OFF)  
C
150mA, IB1  
Storage time  
tstg  
tf  
ns  
30V, I  
30V, I  
C
=
=
−
−
150mA, IB1  
=
−
I
I
B2  
=
=
−
−
15mA  
15mA  
Fall time  
−
ns  
C
150mA, IB1=−  
B2  
Rev.C  
1/3  
1234

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MMST4403T146 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT4403-7-F DIODES

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MMST4403T147 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
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