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MMDJ-65609EV-35/883

更新时间： 2024-01-25 19:59:58

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	60K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32

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MMDJ-65609EV-35/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DFP, FL32,.4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDFP-F32	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL32,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	总剂量：	200k Rad(Si) V
Base Number Matches：	1

MMDJ-65609EV-35/883 数据手册

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M65609E

128 K ꢀ 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Tolerant

Introduction

The M65609E is a very low power CMOS static RAM

organized as 131072 × 8 bits.

access time at 35 ns over the full military temperature

range. The high stability of the 6T cell provides

excellent protection against soft errors due to noise.

Atmel Wireless & Microcontrollers brings the solution

to applications where fast computing is as mandatory as

low consumption, such as aerospace electronics,

portable instruments, or embarked systems.

The M65609E is processed according to the methods of

the latest revision of the MIL STD 883 (class B or S),

ESA SCC 9000 or QML.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,

the M65609E combines an extremely low standby

supply current (Typical value = 20 µA) with a fast

It is produced on the same process as the MH1RT sea of

gates series.

Features

D Operating voltage: 3.3 V

D Access time: 35, 70 ns

D 400 Mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

D Very low power consumption

active : 200 mW (Max)

D Designed on 0.35 micron process

D Latch up immune

standby : 70 µW (Typ)

data retention: 50 µW (typ)

D Wide temperature Range : –55 To +125°C

D 200 Krads capability

D SEU LET better than 3 MeV

Interface

Block Diagram

Rev. B – February 5, 2001

Preliminary

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMDJ-65609EV-35SB/SC	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65609EV-40	ATMEL	获取价格	Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
MMDJ-65609EV-40/883	ATMEL	获取价格	Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
MMDJ-65609EV-40-E	ATMEL	获取价格	Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
MMDJ-65609EV-40MQ	ATMEL	获取价格	Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM
MMDJ-65609EV-70	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
MMDL101	LGE	获取价格	Schottky Barrier Diode
MMDL101	ETL	获取价格	Schottky Barrier Diode
MMDL101	WON-TOP	获取价格	SMD
MMDL101T1	LRC	获取价格	Schottky Barrier Diode

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