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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMDL6050T1
MMDL6050T1 PDF预览

MMDL6050T1

更新时间： 2024-09-23 05:49:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
Switching Diode

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MMDL6050T1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
包装说明：PLASTIC, CASE 477-02, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.34
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MMDL6050T1 数据手册

 浏览型号MMDL6050T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDL6050T1的Datasheet PDF文件第3页 
MMDL6050T1  
Switching Diode  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
Continuous Reverse Voltage  
V
70  
Vdc  
R
CATHODE  
ANODE  
Peak Forward Current  
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation FR-5 Board  
P
D
(Note 1) @T = 25°C  
200  
1.57  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
PLASTIC  
SOD−323  
CASE 477  
STYLE 1  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RqJA  
635  
°C/W  
°C  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
1. FR-4 Minimum Pad.  
5A M G  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol Min Max  
Unit  
5A = Device Code  
M
= Date Code*  
V
70  
−
−
Vdc  
mAdc  
Vdc  
(BR)  
G
= Pb−Free Package  
(I  
= 100 mAdc)  
(BR)  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 50 Vdc)  
R
I
0.1  
R
Forward Voltage  
V
F
(I = 1.0 mAdc)  
(I = 100 mAdc)  
F
0.55  
0.85  
0.7  
1.1  
F
ORDERING INFORMATION  
†
Reverse Recovery Time  
t
−
4.0  
ns  
rr  
Device  
Package  
Shipping  
(I = I = 10 mAdc, I = 1.0 mAdc)  
F
R
R(REC)  
(Figure 1)  
MMDL6050T1  
MMDL6050T1G  
SOD−323  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Capacitance  
(V = 0 V)  
R
C
−
2.5  
pF  
SOD−323  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 3  
MMDL6050T1/D  
 
123

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MMDL6050T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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