MMBTA45

更新时间： 2024-01-11 19:31:35

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描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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MMBTA45 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA45 数据手册

MMBTA44/45

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

ON voltage

Collector saturation region

0.5

1. 0

Ta=25℃

0.8

0.4

Ic =1mA

V_{BE (sat ) ,}Ic/I_B=10

Ic=10mA

Ic=50mA

0.3

0.6

V_BE_(ON), V =10V

0.2

0.1

0.4

0. 2

V_{CE(sat )},Ic/I =10

Ta=25℃

10³

10¹

10³

10⁴

10⁵

10⁰

10²

( mA)

Collector Current, I_C

Base Current, I_B(μA)

TYPICAL CHARACTERISTICS(cont.)

ꢀ

High frequency

Safe operating area

current gain

10²

10¹

10⁴

Valid Duty

Cycle<10%

V_CE=10V

f=10MHz

Ta=25℃

1ms

10³

10²

10¹

10⁰

0.1ms

℃

10⁰

MPSA44

10¹10²

Collector voltage (V)

10^-1

10⁰

10²

( mA)

10^-1

10³

10⁰

10³

10⁴

Collector current, I_C

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

QW-R206-007.B

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