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MMBT3904G

更新时间： 2024-01-15 19:45:36

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智威 - ZOWIE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	101K
描述
General Purpose Transistor

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技术参数
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MMBT3904G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBT3904G 数据手册

Zowie Technology Corporation

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25^oC unless otherwise noted) (Continued)

Symbol Min.

Max.

Unit

Characteristic

(3)

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

( IC=0.1 mAdc, VCE=1.0 Vdc )

( IC=1.0 mAdc, VCE=1.0 Vdc )

( IC=10 mAdc, VCE=1.0 Vdc )

( IC=50 mAdc, VCE=1.0 Vdc )

( IC=100 mAdc, VCE=1.0 Vdc )

100

HFE

300

Collector-Emitter Saturation Voltage⁽³⁾

( IC=10 mAdc, IB=1.0 mAdc )

VCE(sat)

VBE(sat)

Vdc

0.2

0.3

( IC=50 mAdc, IB=5.0 mAdc )

Base-Emitter Saturation Voltage⁽³⁾

( IC=10 mAdc, IB=1.0 mAdc )

( IC=50 mAdc, IB=5.0 mAdc )

0.65

0.85

0.95

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTIC

Current-Gain-Bandwidth Product

300

MHZ

( IC=10 mAdc, VCE=20 Vdc, f=100 MHZ )

Output Capacitance

obo

4.0

8.0

( VCB=5.0 Vdc, IE=0, f=1.0 MHZ )

Input Capacitance

ibo

( VEB=0.5 Vdc, IC=0, f=1.0 MHZ )

Input Impedance

1.0

0.5

100

1.0

k ohms

( VCE=10 Vdc, IC=1.0 mAdc, f=1.0 kHZ )

Voltage Feedback Ratio

X 10^-4

8.0

400

( VCE=10 Vdc, IC=1.0 mAdc, f=1.0 kHZ )

Small-Signal Current Gain

( VCE=10 Vdc, IC=1.0 mAdc, f=1.0 kHZ )

Output Admittance

hoe

u mhos

( VCE=10 Vdc, IC=1.0 mAdc, f=1.0 kHZ )

Noise Figure

5.0

( VCE=5.0 Vdc, IC=100 uAdc, RS=1.0 k ohm, f=1.0 kHZ )

SWITCHING CHARACTERISTICS

Delay Time

( VCC=3.0 Vdc, VBE=-0.5 Vdc,

IC=10 mAdc, IB1=1.0 mAdc )

Rise Time

Storage Time

Fall Time

200

( VCC=3.0 Vdc,

IC=10 mAdc, IB1=IB2=1.0 mAdc )

(1) FR-5=1.0 0.75 0.062in.

(2) Alumina=0.4 0.3 0.024in. 99.5% alumina.

(3) Pulse Test : Pulse Width 300uS, Duty Cycle 2.0%.

REV. 0

Zowie Technology Corporation

123 4 5 6

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